光敏二極管是將光信號變成電信號的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時(shí),反向電流很?。ㄒ话阈∮?.1微安),稱為暗電流。當(dāng)有光照時(shí),攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后,把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子,使部分電子掙脫共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生電子---空穴對,稱為光生載流子。光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口,以便于接受光照。虹口區(qū)選擇二極管聯(lián)系人
日本工業(yè)技術(shù)院電子技術(shù)綜合研究所采用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地制作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計(jì)劃在2010年開發(fā)出64吉比特的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,而這種二極管的開發(fā)為其提供了可能性。采用STM以逐個控制電子、分子,制作***元件的研究工作很活躍,但在事實(shí)上制成電子元件,這次還是世界首例,這一成果開拓了實(shí)現(xiàn)量子化功能元件的道路,因而引起人們的注目。該元件的要點(diǎn)是STM作為捕獲原子的攝子,并作為使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的電極。 [1]奉賢區(qū)哪里二極管設(shè)計(jì)過在制造過程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞。
△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應(yīng)小于2伏。雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個等級:20-60V、100-150V、200-250V。由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V,可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管,表針均應(yīng)不動(RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞,并能提供大于250V的直流電壓的電源,檢測時(shí)通過管子的電流不要大于是5mA。用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。如沒有,可用兆歐表按圖6所示進(jìn)行測量(正、反各一次),電壓大的一次V(BR)。例如:測一只DB3型二極管,***次為27.5V,反向后再測為28V,則△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對稱性很好。
發(fā)光二極管在很多領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用,下面介紹幾點(diǎn)其主要應(yīng)用:(1)電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。 [6](2)汽車以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機(jī)械中得到廣泛應(yīng)用。汽車以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、尾燈等都運(yùn)用了發(fā)光二極管。主要是因?yàn)榘l(fā)光二極管的響應(yīng)快、使用壽命長(一般發(fā)光二極管的壽命比汽車以及大型機(jī)械壽命長)。 [6]晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各元件參數(shù)見圖所標(biāo)注。正反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔,測量雙向觸發(fā)二極管正、反向電阻值。正常時(shí)其正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或?yàn)?,則說明該二極管已擊穿損壞。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi),外形有方形、矩形和圓形等。奉賢區(qū)哪里二極管設(shè)計(jì)
觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上,通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。虹口區(qū)選擇二極管聯(lián)系人
因此,在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V,在這個外加電場的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動,空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加,擴(kuò)散運(yùn)動進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。 [6]虹口區(qū)選擇二極管聯(lián)系人
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