制版光刻膠應用場景：印刷電路板（FPC）、觸摸屏（TP）的掩膜版制作，以及光學元件（如衍射光柵）的微納加工。特點：高分辨率與耐化學性，確保模板的長期使用壽命。
水性光刻膠（JT-1200）應用場景：環(huán)保要求高的電子元件（如醫(yī)療設備、汽車電子）的制造，以及柔性電路的生產。特點：以水為溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 環(huán)保標準。
水油兩用光刻膠（JT-2001/SR-3308）適用于混合工藝場景（如部分環(huán)節(jié)需水性顯影，部分需溶劑顯影），提升生產靈活性。
光刻膠半導體領域的應用。福州正性光刻膠國產廠商
市場與客戶優(yōu)勢：全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網(wǎng)絡
產品遠銷全球，與三星、LG、京東方等世界500強企業(yè)建立長期合作，在東南亞、北美市場市占率超15%。
區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產業(yè)集群，與華為、OPPO等本土企業(yè)合作，在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。
產業(yè)鏈配套優(yōu)勢：原材料與設備協(xié)同
主要原材料自主化
公司自主生產光刻膠樹脂、光引發(fā)劑，降低對進口依賴，成本較國際競品低20%。
設備與工藝協(xié)同
與國內涂膠顯影設備廠商合作，開發(fā)適配國產設備的光刻膠配方，提升工藝兼容性。
東莞水油光刻膠供應商松山湖光刻膠廠家吉田，23 年經(jīng)驗 + 全自動化產線，支持納米壓印光刻膠定制！
吉田半導體 YK-300 正性光刻膠：半導體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出，在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產品已通過中芯國際量產驗證，良率達 98% 以上，生產過程執(zhí)行 ISO9001 標準，幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求，為國產芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
客戶認證：從實驗室到產線的漫長“闖關”
驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（中批量驗證）等階段，周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高，單次晶圓測試費用超百萬元，且客戶為維持產線穩(wěn)定，通常不愿更換供應商。
設備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機、涂膠顯影機等設備高度匹配。國內企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證，導致研發(fā)效率低下。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試，性能參數(shù)難以對標國際。
吉田市場定位與未來布局。
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產品研發(fā)與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業(yè)集群，依托區(qū)域產業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方，嚴格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質。以錫膏為例，其零鹵素配方通過第三方機構認證，不僅減少了電子產品廢棄后的環(huán)境負擔，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中，公司通過優(yōu)化原料配比，減少揮發(fā)性有機物（VOCs）排放，確保產品符合歐盟 REACH 法規(guī)。
吉田質量管控與認證壁壘。大連3微米光刻膠國產廠家
吉田半導體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展，推動產業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。福州正性光刻膠國產廠商
工藝流程
目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。
方法：
化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；
表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。
涂布（Coating）
方式：
旋涂：半導體/顯示領域，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm；
噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。
關鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。
前烘（Soft Bake）
目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強附著力和穩(wěn)定性。
條件：
溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負性膠可至100℃以上）；
時間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調整，厚膠需更長時間）。
曝光（Exposure）
光源：
紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；
深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導體先進制程（分辨率至20nm）；
極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。
曝光方式：
接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
投影式：通過物鏡聚焦（半導體，分辨率高，如ArF光刻機精度達22nm）。
福州正性光刻膠國產廠商
