關(guān)鍵工藝流程
涂布：
在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無(wú)氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）。
曝光：
光源匹配：
G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲(chǔ)芯片）。
EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級(jí)缺陷）。
曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm），避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。
顯影：
采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
化學(xué)增幅型膠需此步驟，通過(guò)加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性。
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光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
半導(dǎo)體制造
功能：在晶圓表面形成微細(xì)電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類(lèi)：
正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
負(fù)性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強(qiáng)）。
技術(shù)演進(jìn)：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長(zhǎng)（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍(lán)像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護(hù)層。
電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽(yáng)極，需高透光率和精細(xì)邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護(hù)的銅箔，形成導(dǎo)電線路。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標(biāo)識(shí)。
LED與功率器件
芯片制造：在藍(lán)寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級(jí)芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
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國(guó)際廠商策略調(diào)整
應(yīng)用材料公司獲曝光后處理，可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國(guó)市場(chǎng)面臨壓力，但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料（CYCLOTENE DF6000 PID）仍在推進(jìn)，試圖通過(guò)差異化技術(shù)維持優(yōu)勢(shì)。日本企業(yè)則通過(guò)技術(shù)授權(quán)（如東京應(yīng)化填補(bǔ)信越產(chǎn)能缺口）維持市場(chǎng)地位。
國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級(jí)
TSMC通過(guò)租賃曝光設(shè)備幫助供應(yīng)商降低成本，推動(dòng)光刻膠供應(yīng)鏈本地化，其中國(guó)臺(tái)灣EUV光刻膠工廠年產(chǎn)能達(dá)1000瓶，產(chǎn)值超10億新臺(tái)幣。國(guó)內(nèi)企業(yè)借鑒此模式，如恒坤新材通過(guò)科創(chuàng)板IPO募資15億元，建設(shè)集成電路前驅(qū)體項(xiàng)目，形成“光刻膠-前驅(qū)體-設(shè)備”協(xié)同生態(tài)。
技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與壁壘
美國(guó)實(shí)體清單限制日本廠商對(duì)華供應(yīng)光刻膠，中國(guó)企業(yè)需突破。例如，日本在EUV光刻膠領(lǐng)域持有全球65%的，而中國(guó)只占12%。國(guó)內(nèi)企業(yè)正通過(guò)產(chǎn)學(xué)研合作（如華中科技大學(xué)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)合攻關(guān)）構(gòu)建自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。
定義與特性
負(fù)性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低，但分辨率較低（通�！�1μm），主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景。
化學(xué)組成與工作原理
主要成分
基體樹(shù)脂：
早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。
光敏劑：
主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類(lèi)衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)。
交聯(lián)劑：
如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián)，形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
溶劑：
多為有機(jī)溶劑（如二甲苯、環(huán)己酮），溶解樹(shù)脂和光敏劑，涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前：光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹(shù)脂中，膠膜可溶于顯影液（有機(jī)溶劑）。
曝光時(shí)：
光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產(chǎn)生活性自由基，引發(fā)交聯(lián)劑與樹(shù)脂分子間的共價(jià)鍵交聯(lián)，使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
顯影后：
未曝光區(qū)域的樹(shù)脂因未交聯(lián)，被顯影液溶解去除，曝光區(qū)域保留，形成負(fù)性圖案（與掩膜版相反）。
吉田半導(dǎo)體光刻膠，45nm 制程驗(yàn)證，國(guó)產(chǎn)替代方案！
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域，通過(guò)差異化技術(shù)（如納米壓印、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方），滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域（如第三代半導(dǎo)體、Mini LED）的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過(guò)材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù)，尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。
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主要優(yōu)勢(shì)：細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了從樹(shù)脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的樹(shù)脂體系，分辨率達(dá)3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹(shù)脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級(jí)，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：
LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)，與京東方、TCL華星合作開(kāi)發(fā)高分辨率產(chǎn)品，良率提升至98%。
半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè)，年采購(gòu)量超200噸，用于5G手機(jī)主板封裝。
技術(shù)化延伸：計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)，目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過(guò)ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。
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