GaN材料硬度高且易產生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導激光切割（Water Jet Guided Laser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區(qū)只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設備振動導致切割線寬波動。中清航科應用主動磁懸浮阻尼系統(tǒng)，通過6軸加速度傳感器實時生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統(tǒng)（波長355nm）配合光束整形模塊，實現吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。紹興12英寸半導體晶圓切割刀片
面對高溫高濕等惡劣生產環(huán)境，中清航科對晶圓切割設備進行了特殊環(huán)境適應性改造。設備電氣系統(tǒng)采用三防設計（防潮濕、防霉菌、防鹽霧），機械結構采用耐腐蝕材料，可在溫度 30-40℃、濕度 60-85% 的環(huán)境下穩(wěn)定運行，特別適用于熱帶地區(qū)半導體工廠及特殊工業(yè)場景。晶圓切割的刀具損耗是影響成本的重要因素，中清航科開發(fā)的刀具壽命預測系統(tǒng)，通過振動傳感器與 AI 算法實時監(jiān)測刀具磨損狀態(tài)，提前 2 小時預警刀具更換需求，并自動推送比較好的更換時間窗口，避免因刀具突然失效導致的產品報廢，使刀具消耗成本降低 25%。嘉興碳化硅陶瓷晶圓切割寬度中清航科等離子切割技術處理氮化鎵晶圓，熱影響區(qū)減少60%。
在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺技術。通過兩個高分辨率工業(yè)相機從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在 1μm 以內，大幅提升切割良率。為適應半導體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實時監(jiān)測設備的電壓、電流、功率等能源參數，生成能耗分析報表，識別能源浪費點并提供優(yōu)化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據工廠電價時段自動調整運行計劃，降低能源支出。
磷化銦（InP）光子晶圓易產生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術，切割面垂直度達89.5°±0.2°，側壁粗糙度Ra<20nm，插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設備運行數據（振動/電流/溫度），AI引擎15分鐘內定位故障根因。遠程AR指導維修，MTTR（平均修復時間）縮短至45分鐘，服務覆蓋全球36國。基于微區(qū)X射線衍射技術，中清航科繪制切割道殘余應力三維分布圖（分辨率10μm），提供量化改進方案�？蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次（+300%），滿足車規(guī)級AEC-Q104認證。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護層技術，結構完整率99%。
中清航科兆聲波清洗技術結合納米氣泡噴淋，去除切割道深槽內的微顆粒。流體仿真設計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結構，殘留物<5ppb，電鏡檢測達標率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務：通過云平臺監(jiān)控耗材使用狀態(tài)，按實際切割長度計費�？蛻鬋APEX（資本支出）降低40%，并享受技術升級，實現輕資產運營。中清航科VirtualCut軟件構建切割過程3D物理模型，輸入材料參數即可預測崩邊尺寸、應力分布。虛擬調試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時，加速客戶產品上市。中清航科綠色切割方案：冷卻液循環(huán)利用率達95%，激光系統(tǒng)能耗降低30%（對比行業(yè)均值）。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放，助力客戶達成ESG目標，已獲ISO 14064認證。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。嘉興碳化硅陶瓷晶圓切割寬度
晶圓切割后分選設備中清航科集成方案，效率達6000片/小時。紹興12英寸半導體晶圓切割刀片
中清航科飛秒激光雙光子聚合技術：在PDMS基板上直寫三維微流道（最小寬度15μm），切割精度達±0.25μm，替代傳統(tǒng)光刻工藝，開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務”（DaaS）：客戶按實際切割面積付費（$0.35/英寸），包含設備/耗材/維護全包。初始投入降低90%，產能彈性伸縮±50%，適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統(tǒng)實時監(jiān)測切割深度（分辨率0.1μm），閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm，背面研磨時間減少40%。
