晶圓切割是半導(dǎo)體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實(shí)現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結(jié)合主動冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以內(nèi)，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層，通過擴(kuò)張膜實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力分離。該技術(shù)消除機(jī)械切割導(dǎo)致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。針對柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割代工廠

UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液，在50℃下選擇性分解膠層分子鏈，30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤，替代高污染溶劑清洗。針對3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)，中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應(yīng)焦距激光，實(shí)現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對齊精度±1.2μm，層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術(shù)，將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收，凈化水重復(fù)利用率達(dá)98%，符合半導(dǎo)體廠零液體排放（ZLD）標(biāo)準(zhǔn)。

在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域，由于材料硬度高達(dá)莫氏 9 級，傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù)，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū)，同時(shí)借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度，使碳化硅晶圓的切割效率提升 3 倍，熱影響區(qū)控制在 10μm 以內(nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測試，其中激光振蕩器經(jīng)過 10 萬小時(shí)連續(xù)運(yùn)行驗(yàn)證，機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測試達(dá)到 200 萬次往復(fù)運(yùn)動無故障。設(shè)備平均無故障時(shí)間（MTBF）突破 1000 小時(shí)，遠(yuǎn)超行業(yè) 800 小時(shí)的平均水平，為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。

在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化替代的浪潮中，中清航科始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，中心技術(shù) 100% 自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn)，不僅擺脫對進(jìn)口部件的依賴，還將設(shè)備交付周期縮短至 8 周以內(nèi)，較進(jìn)口設(shè)備縮短 50%，為客戶搶占市場先機(jī)提供有力支持。展望未來，隨著 3nm 及更先進(jìn)制程的突破，晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動下一代原子級精度切割技術(shù)的研發(fā)，計(jì)劃通過量子點(diǎn)標(biāo)記與納米操控技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 10nm 以下的切割精度，同時(shí)布局晶圓 - 封裝一體化工藝，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案，與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。中清航科推出切割機(jī)租賃服務(wù)，降低客戶初期投入成本。

在晶圓切割設(shè)備的自動化升級浪潮中，中清航科走在行業(yè)前列。其新推出的智能切割單元，可與前端光刻設(shè)備、后端封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)無縫對接，通過 SECS/GEM 協(xié)議完成數(shù)據(jù)交互，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)全流程的自動化閉環(huán)。該單元還具備自我診斷功能，能提前預(yù)警潛在故障，將非計(jì)劃停機(jī)時(shí)間減少 60%，為大規(guī)模生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)保障。對于小尺寸晶圓的切割，傳統(tǒng)設(shè)備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設(shè)計(jì)了針對 2-6 英寸小晶圓的切割工作站，采用多工位旋轉(zhuǎn)工作臺，可同時(shí)處理 8 片小晶圓，切割效率較單工位設(shè)備提升 4 倍。配合特制的彈性吸盤，能有效避免小晶圓吸附時(shí)的損傷，特別適合 MEMS 傳感器、射頻芯片等小批量高精度產(chǎn)品的生產(chǎn)。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認(rèn)證，量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)足。衢州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片

切割道寬度測量儀中清航科研發(fā)，在線檢測精度達(dá)0.05μm。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割代工廠

中清航科動態(tài)線寬控制系統(tǒng)利用實(shí)時(shí)共焦傳感器監(jiān)測切割槽形貌，通過AI算法自動補(bǔ)償?shù)毒吣�損導(dǎo)致的線寬偏差（精度±0.8μm）。該技術(shù)使12英寸晶圓切割道均勻性提升至97%，芯片產(chǎn)出量增加5.3%，年節(jié)省材料成本超$150萬。針對消費(fèi)電子量產(chǎn)需求，中清航科開發(fā)多光束并行切割引擎。6路紫外激光（波長355nm）通過衍射光學(xué)元件分束，同步切割效率提升400%，UPH突破300片（12英寸），單顆芯片加工成本下降至$0.003。先進(jìn)制程芯片的低k介質(zhì)層易在切割中剝落。中清航科采用局部真空吸附+低溫氮?dú)饽患夹g(shù)，在切割區(qū)形成-30℃微環(huán)境，結(jié)合納米涂層刀具，介質(zhì)層破損率降低至0.01ppm，通過3nm芯片可靠性驗(yàn)證。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割代工廠