光伏電池（半導(dǎo)體級延伸）
HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm），線寬≤20μm，降低遮光損失。
鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）。
納米壓印技術(shù)（下一代光刻）
納米壓印光刻膠：通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級分辨率，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。
生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn)，精度≤5μm。
耐高溫光刻膠 JT-2000，250℃環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行，圖形保真度超 95%，用于納米結(jié)構(gòu)制造！內(nèi)蒙古3微米光刻膠國產(chǎn)廠商
正性光刻膠
YK-300：適用于半導(dǎo)體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。
技術(shù)優(yōu)勢：采用進(jìn)口樹脂及光引發(fā)劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴(yán)苛要求。
負(fù)性光刻膠
JT-1000：負(fù)性膠，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達(dá)3μm，適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強(qiáng)腐蝕液處理。
SU-3：經(jīng)濟(jì)型負(fù)性膠，性價(jià)比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應(yīng)性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm。
2. 顯示面板光刻膠
LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設(shè)計(jì)，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。
水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產(chǎn)品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)，主要供應(yīng)京東方、TCL等面板廠商。
云南油墨光刻膠生產(chǎn)廠家PCB廠商必看！這款G-line光刻膠讓生產(chǎn)成本直降30%。
以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動，吉田半導(dǎo)體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā)，搶占行業(yè)制高點(diǎn)。布局下一代光刻技術(shù)。
面對極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn)，吉田半導(dǎo)體與中科院合作開發(fā)化學(xué)放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm）和耐蝕性（>80%）指標(biāo)上取得階段性進(jìn)展。同時(shí)，公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā)，對標(biāo)日本王子控股技術(shù)，探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用。這些技術(shù)儲備為 7nm 及以下制程提供支撐，助力中國在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域，形成了 “技術(shù)驅(qū)動、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購服務(wù)。
市場與榮譽(yù)：
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產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū)，客戶包括電子制造服務(wù)商（EMS）及半導(dǎo)體廠商。
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獲評 “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”，并通過技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。
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生產(chǎn)基地配備自動化設(shè)備，年產(chǎn)能超千噸，滿足大規(guī)模訂單需求。
未來展望：
公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模，聚焦第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)，如 GaN、SiC 相關(guān)光刻膠技術(shù)。同時(shí)，深化全球化布局，在東南亞、歐洲等地設(shè)立分支機(jī)構(gòu)，強(qiáng)化本地化服務(wù)能力。
無鹵無鉛錫膏廠家吉田，RoHS 認(rèn)證，為新能源領(lǐng)域提供服務(wù)！
技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗(yàn)壁壘
配方設(shè)計(jì)的“黑箱效應(yīng)”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數(shù)萬次實(shí)驗(yàn)優(yōu)化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機(jī)性能。日本企業(yè)通過數(shù)十年積累形成的配方數(shù)據(jù)庫，國內(nèi)企業(yè)短期內(nèi)難以突破。
工藝控制的極限挑戰(zhàn)
光刻膠生產(chǎn)需在百級超凈車間進(jìn)行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內(nèi)企業(yè)在“吸附一重結(jié)晶一過濾一干燥”耦合工藝上存在技術(shù)短板，導(dǎo)致產(chǎn)品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產(chǎn)線驗(yàn)證，但量產(chǎn)良率較日本同類型產(chǎn)品低約15%。
EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作，傳統(tǒng)有機(jī)光刻膠因吸收效率低、熱穩(wěn)定性差面臨淘汰。國內(nèi)企業(yè)如久日新材雖開發(fā)出EUV光致產(chǎn)酸劑，但金屬氧化物基光刻膠（如氧化鋅）的納米顆粒分散技術(shù)尚未突破，導(dǎo)致分辨率只達(dá)10nm，而國際水平已實(shí)現(xiàn)5nm。
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納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)？吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%！內(nèi)蒙古3微米光刻膠國產(chǎn)廠商
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量優(yōu)勢，在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品，其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外，公司還提供焊片、靶材等配套材料，滿足客戶多元化需求。
在技術(shù)層面，吉田半導(dǎo)體通過自主研發(fā)與國際合作結(jié)合，持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)全流程自動化控制。其生產(chǎn)基地配備先進(jìn)設(shè)備，并嚴(yán)格執(zhí)行國際標(biāo)準(zhǔn)，確保產(chǎn)品性能達(dá)到國際水平。同時(shí)，公司注重人才培養(yǎng)與引進(jìn)，匯聚化工、材料學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，為技術(shù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以 “中國前列半導(dǎo)體材料方案提供商” 為愿景，推動行業(yè)技術(shù)升級與國產(chǎn)化進(jìn)程。
內(nèi)蒙古3微米光刻膠國產(chǎn)廠商
