國產(chǎn)替代進(jìn)程加速
日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610，已通過中芯國際14nm工藝驗證。預(yù)計到2025年，國內(nèi)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產(chǎn)化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%，八億時空的光刻膠樹脂產(chǎn)線預(yù)計2025年實現(xiàn)百噸級量產(chǎn)，其產(chǎn)品純度達(dá)到99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb。怡達(dá)股份作為全球電子級PM溶劑前段（市占率超40%），與南大光電合作開發(fā)配套溶劑，打破了日本關(guān)東化學(xué)的壟斷。這些進(jìn)展使光刻膠生產(chǎn)成本降低約20%。
供應(yīng)鏈風(fēng)險緩解
合肥海關(guān)通過“空中專線”保障光刻膠運輸，將進(jìn)口周期從28天縮短至17天，碳排放減少18%。國內(nèi)在建12座光刻膠工廠（占全球總數(shù)58%），預(yù)計2025年產(chǎn)能達(dá)3000噸/年，較2023年增長150%。
光刻膠新興及擴展應(yīng)用。沈陽油性光刻膠國產(chǎn)廠家
關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體制造：
在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。
印刷電路板（PCB）：
保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。
顯示面板（LCD/OLED）：
用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統(tǒng)（MEMS）：
加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）。
工作原理（以正性膠為例）
1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。
2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域），或去除光刻膠（剝離工藝）。
蘇州油墨光刻膠品牌感光膠的工藝和應(yīng)用。
納米壓印光刻膠
微納光學(xué)器件制造：制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過納米壓印技術(shù)，將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件，應(yīng)用于光通信、光學(xué)成像等領(lǐng)域。
生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質(zhì)芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構(gòu)建高精度的微納結(jié)構(gòu)，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現(xiàn)這些精細(xì)結(jié)構(gòu)的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準(zhǔn)確性。
技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體先進(jìn)制程：
EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；
極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本：
水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；
單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。
新興領(lǐng)域拓展：
柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；
光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。
典型產(chǎn)品與廠商
半導(dǎo)體正性膠：
日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；
美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm，缺陷密度＜5個/cm）。
PCB負(fù)性膠：
中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%；
日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。
MEMS厚膠：
美國陶氏的SU-8：實驗室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；
德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造。
告別顯影殘留！化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝。
行業(yè)地位與競爭格局
1. 國際對比
技術(shù)定位：聚焦細(xì)分市場（如納米壓印、LCD），而國際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）。
成本優(yōu)勢：原材料自主化率超80%，成本低20%；國際巨頭依賴進(jìn)口原材料，成本較高。
客戶響應(yīng)：48小時內(nèi)提供定制化解決方案，認(rèn)證周期為國際巨頭的1/5。
2. 國內(nèi)競爭
國內(nèi)光刻膠市場仍由日本企業(yè)壟斷（全球市占率超60%），但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領(lǐng)域具備替代進(jìn)口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業(yè)相比，吉田在細(xì)分市場的技術(shù)積累更深厚，但ArF、EUV光刻膠仍需突破。
風(fēng)險與挑戰(zhàn)
技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，研發(fā)投入不足國際巨頭的1/10。
客戶認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。
供應(yīng)鏈風(fēng)險：部分樹脂（如ArF用含氟樹脂）依賴日本住友電木。
行業(yè)競爭加劇：國內(nèi)企業(yè)如南大光電、晶瑞電材加速技術(shù)突破，可能擠壓吉田的市場份額。
負(fù)性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。無錫負(fù)性光刻膠廠家
正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。沈陽油性光刻膠國產(chǎn)廠家
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。
厚板光刻膠 JT - 3001：具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年，適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景，如一些特殊的電路板制造。
SU - 3 負(fù)性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)。重量為 100g，常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造，能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠：耐強酸強堿，耐高溫達(dá) 250°C，長期可靠性高，粘接強度高。重量 100g，適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝，如一些半導(dǎo)體器件的制造。
沈陽油性光刻膠國產(chǎn)廠家
