半導(dǎo)體集成電路
應(yīng)用場景：
晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)；
封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g。
關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝（如150℃以上高溫、等離子體轟擊）。
印刷電路板（PCB）
應(yīng)用場景：
線路成像：負(fù)性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路，線寬≥50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）；
阻焊層：厚負(fù)性膠（50-100μm）覆蓋非焊盤區(qū)域，耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕；
撓性PCB（FPC）：正性膠用于精細(xì)線路（線寬≤20μm），需耐彎曲應(yīng)力。
優(yōu)勢：工藝簡單、成本低，適合大面積基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。
平板顯示
應(yīng)用場景：
彩色濾光片：正性膠制作黑矩陣（BM）和RGB色阻間隔層，耐UV固化和濕法蝕刻（如HF溶液）；
OLED像素定義：負(fù)性膠形成像素開口（孔徑5-50μm），耐有機(jī)溶劑（如OLED蒸鍍前的清洗液）；
觸控面板：正性膠制作透明電極（如ITO線路），線寬≤10μm，需透光率＞90%。
關(guān)鍵參數(shù)：高透光性、低收縮率（避免圖案變形）。
負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家。陜西油墨光刻膠品牌
光刻膠系列：
厚板光刻膠 JT - 3001，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能，符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)期 1 年；
水油光刻膠 SR - 3308，容量 5L；SU - 3 負(fù)性光刻膠，分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應(yīng)，重量 100g；
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格，分辨率高，準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好；
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿，耐高溫達(dá) 250°C，長期可靠性高，粘接強(qiáng)度高，重量 100g；
LCD 正性光刻膠 YK - 200，具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g；
半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300，具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g；
耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100，重量 1L。
河北3微米光刻膠吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。
正性光刻膠
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半導(dǎo)體分立器件制造：對于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工，滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí)，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu)，提高器件性能。
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微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu)，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。
對比國際巨頭的差異化競爭力
維度 吉田光刻膠 國際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）
技術(shù)定位 聚焦細(xì)分市場（如納米壓印、LCD） 主導(dǎo)高級(jí)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）
成本優(yōu)勢 原材料自主化率超80%，成本低20% 依賴進(jìn)口原材料，成本高
客戶響應(yīng) 48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案 認(rèn)證周期長（2-3年）
區(qū)域市場 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60%
風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)
前段技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，研發(fā)投入不足國際巨頭的1/10。
客戶認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。
供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分樹脂（如ArF用含氟樹脂）依賴日本住友電木。
吉田市場定位與未來布局。
作為東莞松山湖的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年，成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達(dá) 98% 以上，已通過中芯國際等晶圓廠驗(yàn)證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品通過 ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，遠(yuǎn)銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。吉田半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。福建光刻膠生產(chǎn)廠家
吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力。陜西油墨光刻膠品牌
技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求：
EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm），通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。
缺陷控制：
半導(dǎo)體級(jí)正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級(jí)過濾+真空蒸餾）。
國產(chǎn)化突破：
國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能：
開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。
典型產(chǎn)品示例
傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。
DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。
EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。
陜西油墨光刻膠品牌
