憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應(yīng)用于印刷電路板制造。
公司產(chǎn)品遠銷全球，并與多家跨國企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系。通過在重點區(qū)域設(shè)立辦事處，提供快速響應(yīng)的技術(shù)支持與售后服務(wù)。依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)資源，公司強化供應(yīng)鏈協(xié)同，縮短交付周期，為客戶提供高效解決方案。
未來，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司將繼續(xù)深化技術(shù)創(chuàng)新，拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，以可靠的產(chǎn)品與專業(yè)的服務(wù)，持續(xù)鞏固其在半導(dǎo)體材料行業(yè)的重要地位。
正性光刻膠生產(chǎn)廠家。成都制版光刻膠
吉田半導(dǎo)體 SU-3 負性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性，已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
重慶納米壓印光刻膠廠家半導(dǎo)體材料選吉田，歐盟認證，支持定制化解決方案！
光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區(qū)域曝光。
2. 化學(xué)變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯(lián)不溶）。
3. 顯影與刻蝕：溶解未反應(yīng)的部分，留下圖案化的膠層，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。
在納米技術(shù)中，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術(shù)（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。
市場與客戶優(yōu)勢：全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網(wǎng)絡(luò)
產(chǎn)品遠銷全球，與三星、LG、京東方等世界500強企業(yè)建立長期合作，在東南亞、北美市場市占率超15%。
區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，與華為、OPPO等本土企業(yè)合作，在消費電子、汽車電子領(lǐng)域快速響應(yīng)客戶需求。
產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢：原材料與設(shè)備協(xié)同
主要原材料自主化
公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂、光引發(fā)劑，降低對進口依賴，成本較國際競品低20%。
設(shè)備與工藝協(xié)同
與國內(nèi)涂膠顯影設(shè)備廠商合作，開發(fā)適配國產(chǎn)設(shè)備的光刻膠配方，提升工藝兼容性。
光刻膠解決方案找吉田，ISO 認證 + 8S 管理，良率達 98%！
吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產(chǎn)效率，通過優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。
針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%，密集圖形側(cè)壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù)，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導(dǎo)體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本，推動行業(yè)生產(chǎn)效率提升。松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬級產(chǎn)能，48 小時極速交付！寧波UV納米光刻膠工廠
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光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
半導(dǎo)體制造
功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類：
正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。
技術(shù)演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。
電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導(dǎo)電線路。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
成都制版光刻膠
