公司嚴(yán)格執(zhí)行 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系與 8S 現(xiàn)場管理標(biāo)準(zhǔn)，通過工藝革新與設(shè)備升級實現(xiàn)生產(chǎn)過程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經(jīng)多級凈化處理后達標(biāo)排放，生活污水經(jīng)預(yù)處理后納入市政管網(wǎng)，冷卻水循環(huán)利用率達 100%。危險廢物（如廢機油、含油抹布）均委托專業(yè)機構(gòu)安全處置，一般工業(yè)固廢（如邊角料、廢包裝材料）則通過回收或再生利用實現(xiàn)資源循環(huán)。
公司持續(xù)研發(fā)環(huán)保型材料，例如開發(fā)水性感光膠替代傳統(tǒng)油性產(chǎn)品，降低有機溶劑使用量；優(yōu)化錫膏助焊劑配方，減少焊接過程中的煙霧與異味。此外，其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù)，在提升焊接效率的同時降低能源消耗。通過與科研機構(gòu)合作，公司還在探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用，為行業(yè)低碳發(fā)展提供新路徑。
松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載，提供全系列半導(dǎo)體材料解決方案。江蘇光刻膠生產(chǎn)廠家
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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃，支持納米級精度圖案復(fù)制，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域，技術(shù)指標(biāo)接近國際先進水平。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
天津紫外光刻膠廠家光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體。
光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
半導(dǎo)體制造
功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類：
正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。
技術(shù)演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、*紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。
電*圖案：制作TFT-LCD的電*線路或OLED的陰*/陽*，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導(dǎo)電線路。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標(biāo)識。
LED與功率器件
芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電*和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
聚焦先進封裝需求，吉田半導(dǎo)體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領(lǐng)域，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù)（180℃），焊接空洞率 < 5%；針筒錫膏適用于 01005 超微型元件，印刷精度達 ±5μm。通過標(biāo)準(zhǔn)化實驗室與快速響應(yīng)團隊，公司為客戶提供工藝優(yōu)化建議，幫助降低生產(chǎn)成本，增強市場競爭力。吉田半導(dǎo)體光刻膠，45nm 制程驗證，國產(chǎn)替代方案!
主要應(yīng)用場景
印刷電路板（PCB）：
通孔/線路加工：負性膠厚度可達20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。
阻焊層：作為絕緣保護層，覆蓋非焊盤區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應(yīng)用。
微機電系統(tǒng)（MEMS）：
深硅蝕刻（DRIE）：負性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達100μm以上，耐SF等強腐蝕性氣體，用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）。
模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示（LCD）：
彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件：
IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本。
吉田市場定位與未來布局。沈陽負性光刻膠感光膠
吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力。江蘇光刻膠生產(chǎn)廠家
正性光刻膠
YK-300：適用于半導(dǎo)體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。
技術(shù)優(yōu)勢：采用進口樹脂及光引發(fā)劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴(yán)苛要求。
負性光刻膠
JT-1000：負性膠，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。
SU-3：經(jīng)濟型負性膠，性價比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應(yīng)性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm。
2. 顯示面板光刻膠
LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設(shè)計，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。
水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產(chǎn)品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細網(wǎng)點，主要供應(yīng)京東方、TCL等面板廠商。
江蘇光刻膠生產(chǎn)廠家
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