二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。三極管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極管的外觀如圖，大的很大，小的很小。三極管的電路符號有兩種：有一個箭頭的電極是發(fā)射極，箭頭朝外的是NPN型三極管，而箭頭朝內(nèi)的是PNP型。實際上箭頭所指的方向是電流的方2020-08-30開關(guān)三極管如何測量好壞首先要知道它是NPN還是PNP的，然后還需要知道它內(nèi)部有沒有保護(hù)二極管和電阻，接下來就和普通三極管一樣測量就可以了。2020-08-30求開關(guān)三極管型號與參數(shù)2N2369NPN4A開關(guān)3DK2BNPN7開關(guān)3DK4BNPN7開關(guān)3DK7CNPN7開關(guān)2020-08-30三極管開關(guān)電路中的電容作用在判斷電容前先分析你的電路。當(dāng)使用有光線照射，阻值變小的電阻時，Q1截止，Q截止，LED滅。這樣，電路中的電容起到兩個作用，一是防止閃光（打雷閃電）時電路誤動作，北京常見MOS管現(xiàn)貨，二是延遲充電，即有光線時LED可以延遲一段時間才熄滅，北京常見MOS管現(xiàn)貨。你這個電路的電容容量比較小，延時的時間比較短。對于較常用的兩種MOS管，北京常見MOS管現(xiàn)貨，N型與P型，一般N型管使用場景更為廣。北京常見MOS管現(xiàn)貨
對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。為解釋MOS管工作原理圖，我們先了解一下含有一個P一N結(jié)的二極管的工作過程。如圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時，這時在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。對于MOS管（見圖），在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時MOS管與截止?fàn)顟B(tài)（圖a）。當(dāng)有一個正電壓加在N溝道的MOS管。MOS管柵極上時，由于電場的作用。北京常見MOS管現(xiàn)貨場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。
mos管導(dǎo)通電阻的作用mos管導(dǎo)通電阻，一般在使用MOS時都會遇到柵極的電阻選擇和使用問題，但有時對這個電阻很迷茫，現(xiàn)介紹一下它的作用：1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過壓（柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過壓產(chǎn)生）4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，將MOS管盡快截止。避免柵極懸空，懸空的柵極MOS管將會導(dǎo)通，導(dǎo)致全橋短路5.驅(qū)動管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振蕩的作用降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法1.不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的。由此可以推斷耐壓800V的MOS管的導(dǎo)通電阻將幾乎被外延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOS管結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。2.降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導(dǎo)通電阻。
MOS管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS一CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm、50nm、80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻一一二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對器件的靜電損害（ESD），實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，嚴(yán)重的也是容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDDGND短路或開路，器件完全喪失了原有的功能。稍次一等嚴(yán)重的損害是出現(xiàn)斷續(xù)的失效或者是性能的退化，那就更難察覺。還有一些靜電損害會使泄漏電流增加導(dǎo)致器件性能變壞。MOS管的定義MOS管做為電壓驅(qū)動大電流型器件，在電路尤其是動力系統(tǒng)中大量應(yīng)用，MOS管有一些特性在實際應(yīng)用中是我們應(yīng)該特別注意的MOS管體二極管，又稱寄生二極管。MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)的器件之一，無論是在 IC 設(shè)計里，還是板級電路應(yīng)用上，都十分廣。
，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。(多子)參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。、輸出特性對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。當(dāng)VGSMOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。北京常見MOS管現(xiàn)貨
MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。北京常見MOS管現(xiàn)貨
這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。mos管工作原理圖如下：用于NMOS的驅(qū)動電路用于PMOS的驅(qū)動電路NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析Vl和Vh分別是低端和的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過改變這個基準(zhǔn)，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流，由于導(dǎo)通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有，低于。R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強(qiáng)烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。北京常見MOS管現(xiàn)貨
